| Artikelnummer | IPB020N04N G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9700pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 167W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7-3 |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPB009N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Einzelheiten |
