IPA65R380E6XKSA1

IPA65R380E6XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPA65R380E6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
65860 pcs
Referenzpreis
USD 2.5/pcs
Unser Preis
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IPA65R380E6XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPA65R380E6XKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Gewicht -
Ursprungsland -

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