ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMN3A01ZTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1955/pcs
Unser Preis
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ZXMN3A01ZTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMN3A01ZTA
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 186pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 970mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-89
Paket / Fall TO-243AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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