DMP210DUFB4-7

DMP210DUFB4-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMP210DUFB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.0524/pcs
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DMP210DUFB4-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMP210DUFB4-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 15V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 350mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket X2-DFN1006-3
Paket / Fall 3-XFDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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