DMG2301U-7

DMG2301U-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMG2301U-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1035/pcs
Unser Preis
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DMG2301U-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMG2301U-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 800mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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