| Artikelnummer | 2N5306 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 300mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 25V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
| Leistung max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 60MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Einzelheiten |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
